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IDB4.5/TN-1G
IDB4.5-TN-1G--.jpg
IDB4.5/TN-1G
IDB4.5/TN-1G集成驅(qū)動模塊(以下簡稱驅(qū)動模塊),用于驅(qū)動單個大功率IGBT或MOS。具有輸入輸出7000V高隔離耐壓。驅(qū)動模塊具有短路保護(hù),還設(shè)有盲區(qū)、軟啟動等調(diào)節(jié)引腳,方便設(shè)計調(diào)試。
標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品通用技術(shù)參數(shù):

一、概述:

IDB4.5/TN-1G集成驅(qū)動模塊(以下簡稱驅(qū)動模塊),用于驅(qū)動單個大功率IGBTMOS。具有輸入輸出7000V高隔離耐壓。驅(qū)動模塊具有短路保護(hù),還設(shè)有盲區(qū)、軟啟動等調(diào)節(jié)引腳,方便設(shè)計調(diào)試。

 

二、產(chǎn)品特點:

? 采用SPI單列直插封裝;

? 故障保護(hù)盲區(qū)和軟關(guān)斷時間外部可調(diào);

? 輸入輸出信號電氣隔離;

? 保護(hù)閾值電壓外部可調(diào);

? 帶有過流及短路保護(hù)和故障輸出功能;

  

三、極限特性:

參數(shù)

測試條件

數(shù)值

單位

邏輯電源電壓

VCC


6.0

V

輸入信號電壓

VSIG

VCC=5.0V,30KHz

15

V

驅(qū)動電源電壓

VDD


26

V

瞬態(tài)輸出峰值電流

Io on

TON=1uS,D=0.01

+40

A

Io off

-40

輸出功率

Po


4.5

W

工作頻率

F


80

KHz

絕緣耐壓

Viso

AC 50Hz 1min

7000

V

 

四、電氣參數(shù):

參數(shù)

測試條件

最小值

典型值

最大值

單位

輸入?yún)?shù):

邏輯電源電壓(VCC


4.5

5.0

6.0

V

邏輯電源電流(ICC



10


mA

電源電壓(VDD


23.0

24.0

25.5

V

電源電流(IDD




210

mA

輸入信號(VSIG


3.0

5.0

15.0

V

信號輸入電流(ISIG

100KHzVin=H



1.0

mA

信號頻率范圍(fSIG


0


80

KHz

占空比


0


100

%

輸出特性

輸出電壓(VO

Vin   =15.0V

VO+

14

15

16

V

VO-

-7

-8

-9

V

輸出電流(IO

Ton=1μS  

D=0.01

IO+



40.0

A

IO-



-40.0

A

延遲時間

IOH=10mA

tDT   on


500

800

nS

tDT   off


500

700

nS

柵極電阻(Rg

外設(shè)置

0.5



Ω

保護(hù)特性

保護(hù)閾值(VOCP

可外設(shè)置

典型值為缺省值

4.2


14

V

保護(hù)盲區(qū)(Tb

可外設(shè)置

最小值為缺省值

4.0


11

μS

軟關(guān)斷時間(Ts

可外設(shè)置

最小值為缺省值

3.5


11

μS

故障信號延時(TALM



1.0


μS

故障輸出端電流(IALM

吸收電流



10

mA

其他

絕緣耐壓

AC/50HZ/1min



7000

Vrms

環(huán)境溫度


-40


85

儲存溫度


-50


125

 

五、原理框圖:

1.png

 

六、引腳定義及功能說明:

2.png

 

序號

表示符號

說明

1

VSIG+

驅(qū)動信號輸入正電源輸入正

2


空腳

3


空腳

4

VCC+

驅(qū)動信號輸入地

5

GND

電源、信號地

6

ALM

故障保護(hù)報警輸出端;低電平有效。

7

RESET

模塊復(fù)位引腳。故障后高電平復(fù)位。


8

ROCP

過流保護(hù)閾值調(diào)整端。

9

Cs

保護(hù)軟關(guān)斷時間調(diào)整端。

10

VO+

驅(qū)動輸出正。

11

VO-

驅(qū)動輸出負(fù)。

12

VDD

驅(qū)動電源正端。

13

-VEE

驅(qū)動電源負(fù)端。

14

Cb

保護(hù)盲區(qū)時間調(diào)整端。

15

VOCP

過流電壓檢測端。

16

COM

驅(qū)動電源公共端。

   

七、調(diào)節(jié)說明:

6.png

 

電壓下降到90%的時間。盲區(qū)時間是為了避免檢測端干擾或其它擾動導(dǎo)致保護(hù)電路誤動作。該時間可以通過14腳外接電容調(diào)節(jié),具體調(diào)節(jié)可參照下表:

Tb(uS)

Rp(KΩ)

4.7

10

47

100

200

缺省

 

 

Cb(pF)

缺省

4.4

3.2

2.3

1.9

1.8

1.7

47

5.8

4.4

2.8

2.5

2.4

2.2

100

7.9

5.9

3.9

3.3

3.1

2.9

220

12.7

9.2

5.4

4.8

4.3

4.0

470


16.4

9.5

7.5

6.8

6.2

1000



17.2

14.2

12.8

10.9

 每個產(chǎn)品具體數(shù)值會有一定誤差,以實際測量所得數(shù)值為準(zhǔn)。


 

(2)       軟關(guān)斷時間調(diào)整:

軟關(guān)斷時間是驅(qū)動波形從90%電壓降到COM電壓的時間,具體調(diào)節(jié)可參照下表:

 

軟關(guān)斷時間調(diào)整參考表

    

     nF

Fb

(μS)

缺省

5.2

0.47

5.8

1.0

6.6

1.5

7.4

2.2

8.8

(3)       過流保護(hù)閾值調(diào)整:

    當(dāng)主功率回路中電流過大或是發(fā)生短路時,OCP腳電壓會相應(yīng)升高,當(dāng)電壓達(dá)到內(nèi)部保護(hù)閾值后,電路啟動保護(hù)功能。這一閾值可以通過11VOCP來進(jìn)行調(diào)節(jié)·,11、9腳之間接電阻可以提高VOCP,11、8腳之間接電阻可以降低VOCP,具體調(diào)節(jié)關(guān)系如下表:


保護(hù)閾值調(diào)整參考表

RpKΩ

缺省

200

100

47

10

4.7

VOCP

4.2

5.1

5.6

6.5

10.2

11.7


八、測試電路:

4.png


推薦參數(shù):

Vsig=5V   VCC5V,實際應(yīng)用時推薦外接100μF/35V電解電容。

C5、C6 C7、C847μF/35V,選用低ESR電解電容;

R54.7-10KΩ 1/4W;

R3:外部閾值調(diào)節(jié)電阻,可選用1/4W電阻,具體數(shù)值參照7)節(jié)說明;

Rs1、Rs2:驅(qū)動?xùn)艠O限流電阻,建議在0.5Ω-22.0Ω之間選擇;

R4 330Ω 1/4W

R2 220Ω 1/4W

D1D2UF4007,當(dāng)主路電壓高于600V時,建議用兩個串聯(lián)使用;

DZ115-30V  1/2W穩(wěn)壓管;

DZ2DZ318V  1.0W穩(wěn)壓管。

 

九、外形尺寸:

 5.png


 


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